Nepřihlášený uživatel
Nacházíte se: VŠCHT Prahakvalab.vscht.cz → Klíčové vybavení → Mikroskop atomárních sil (AFM) s vysokoteplotní celou a elektrochemickým skenováním
iduzel: 10890
idvazba: 12831
šablona: stranka
čas: 21.9.2017 05:22:07
verze: 3813
uzivatel:
remoteAPIs:
branch: trunk
Obnovit | RAW

Mikroskop atomárních sil (AFM) s vysokoteplotní celou a elektrochemickým skenováním

Charakteristické vlastnosti:

  • Unikátní systém pro mikroskopii atomárních sil (AFM) se standardním vybavením rozšířený o stabilizovanou vysokoteplotní celu a elektrochemické skenování.
  • AFM ve standardní konfiguraci včetně STM (tunelovací mikroskopie) modulu.
  • Toto základní vybavení bude doplněno o vysokoteplotní celu s možností ohřevu až do 250°C a dále pak o elektrochemické STM a AFM moduly.
  • Požadovaná konfigurace umožní i měření elektrických vlastností povrchu materiálu na mikroměřítku.
  • Požadované příslušenství k přístroji je: optický mikroskop s CCD kamerou pro manipulaci se vzorky, software pro zaznamenávání a zpracování dat, UPS systém pro stabilní napájení systému.

Účel pořizovaného vybavení:

  • Hlavním důvodem pro pořízení tohoto unikátního uspořádání AFM je rozšíření a zkvalitnění vědecko-výzkumné činnosti v základním i aplikovaném výzkumu.
  • Přístroj bude používán (podobně jako stávající AFM) ve výuce v rámci Laboratoře charakterizace nano a mikrosystémů, která je součástí nového bakalářského studijního programu Nano a mikrotechnologie v chemickém inženýrství. Tento moderní studijní program přitahuje perspektivní studenty a je tedy žádoucí jej podporovat kvalitním přístrojovým vybavením.
  • V této konfiguraci bude AFM schopno pokrýt široké spektrum aplikací: studium vývoje morfologie polymerů a jejich tavenin při tepelném namáhání, elektrické vodivosti kompozitních materiálů, mapování adhezivních vlastností materiálů na širokém rozmezí teplot, sledování lokálních elektrochemických vlastností povrchů, sledování koroze a depozice kovů na mikroměřítku, studium morfologických změn elektrod pro úložiště energie během nabíjení/vybíjení a měření lokálních vlastností iontově výměnných membrán.
Aktualizováno: 2.12.2014 12:55, Autor: Lenka Matějová

A BUDOVA A
B BUDOVA B
C BUDOVA C
VŠCHT Praha
Technická 5
166 28 Praha 6 – Dejvice
IČO: 60461373
DIČ: CZ60461373

Datová schránka: sp4j9ch

Copyright VŠCHT Praha 2014
Za informace odpovídá Oddělení komunikace, technický správce Výpočetní centrum
zobrazit plnou verzi